[더팩트ㅣ송다영 기자] 검찰이 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 국가 핵심 기술을 중국 창신메모리(CXMT)에 불법 유출한 전직 삼성전자 임직원 일당 등을 줄줄이 재판에 넘겼다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 삼성전자의 10나노대 D램 국가핵심기술을 불법 유출·부정 사용한 혐의로 중국 D램 반도체 회사 창신메모리(CXMT)의 핵심 개발인력 5명을 산업기술보호법 위반(국가핵심기술국외유출등), 부정경쟁방지법 위반(영업비밀국외누설등) 혐의로 구속기소 했다고 23일 밝혔다. 이외에 CXMT 파트별 개발 책임자 등을 지냈던 5명도 불구속기소됐다.
검찰에 따르면 CXMT는 국내 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 공정기술을 불법적으로 확보해 양산 단계까지 활용한 것으로 드러났다. 해당 기술은 삼성전자가 5년간 약 1조 6천억 원을 투자해 개발한 국가핵심기술로, 수백 단계의 공정 정보가 담긴 핵심 기술이다.
A 씨는 삼성전자 부장 출신으로 CMXT에서 1기 개발팀을 총괄한 것으로 조사됐다. A 씨는 지난해 1월 구속기소돼 2심에서 징역 6년을 선고받고 상고심 재판 중에 이날 추가 기소됐다.
B 씨는 삼성전자 연구원 출신으로 A 씨와 함께 초기 범행을 총괄한 것으로 파악됐다.
CMXT의 2기 개발실장인 C 씨, 팀장 D 씨, 수석 E 씨 등은 공모해 1기 개발팀으로부터 삼성전자의 18나노 D램 공정정보를 전달받고 2018년 2월부터 2023년 초까지 중국 설비에 맞게 수정·검증해 D램을 개발했다.
CXMT는 2016년 5월 설립 직후 당시 세계 최초로 10나노대 D램 양산에 성공한 삼성전자의 핵심 인력을 영입하고 기술 확보 계획을 수립한 것으로 확인됐다. 이후 삼성전자 연구원이 CXMT로 이직하는 과정에서 수백 단계의 공정 정보를 유출했으며, 해당 연구원은 현재 인터폴 적색수배 상태다.
검찰은 CXMT가 개발 과정에서 국내 SK하이닉스의 국가핵심기술까지 추가로 확보한 뒤, 이를 중국 내 설비 환경에 맞게 지속적으로 수정·검증해 2023년 중국 최초로 10나노대 D램 양산에 성공한 사실을 확인했다고 밝혔다.
이번 사건은 중국 지방정부가 약 2조 6천억 원을 투자한 중국 최초이자 유일한 D램 반도체 기업이 국내 반도체 핵심기술을 조직적으로 부정 사용한 사례로, 검찰은 중국 현지에서 이뤄진 개발 전 과정에 유출 기술이 사용된 사실을 규명한 데 의의가 있다고 봤다.
수사 과정에서 이들의 특이 범행 수법도 드러났다. A 씨는 △중국 위장회사 입사 △중국 인근 도시 경유 입국 △귀국 시 핸드폰 및 USB 등 반납 △주기적으로 사무실을 변경 △중국 이메일 사용 등 범행이 발각되지 않기 위해 보안에 철저히 했다.
또 A 씨는 기술 유출 인원들끼리 일종의 '행동 지침' 문서를 만들어 '항상 주위에 국정원 등이 있다고 생각하고 행동할 것', '출국금지·체포될 시 암호(♥♥♥♥, 하트 네 개)를 날려라' 등 향후 수사에 철저히 대비한 것으로 드러났다.
검찰은 이번 기술 유출로 인해 삼성전자 등이 입은 피해가 최소 수십조 원에 달할 것으로 보고 있으며, 2024년 기준 추정 매출 감소액만 약 5조 원에 이를 것으로 추산했다.
반면 검찰은 CXMT가 세계 최고 수준의 D램 공정 기술을 확보해 이를 바탕으로 HBM(고대역폭 메모리) 개발을 위한 발판을 마련했다고 봤다.
김 부장검사는 "국가 경제와 기술 안보에 중대한 영향을 미치는 국가핵심기술의 국외 유출 범죄에 대해 앞으로도 엄정하게 대응할 방침"이라고 밝혔다.
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