삼성전자가 독자적으로 개발한 반도체 기술을 중국 업체로 유출한 혐의를 받는 전 삼성전자 연구원 오모 씨가 구속을 면했다. 사진은 오 씨가 16일 서울 서초구 서울중앙지방법원에서 열린 구속 전 피의자 심문을 마친 뒤 법원을 나서는 모습 /뉴시스

[더팩트ㅣ김시형 기자] 삼성전자가 독자적으로 개발한 반도체 기술을 중국 업체로 유출한 혐의를 받는 전 삼성전자 연구원이 구속을 피했다.

17일 법조계에 따르면 서울중앙지법 이민수 영장전담 부장판사는 전날 산업기술보호법 위반 혐의를 받는 오모 씨에 대한 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)를 진행한 후 구속영장을 기각했다.

이 부장판사는 "피의자가 범행에 대해 다투고 있고 방어권을 보장해 줄 필요가 있다"며 "주거가 일정하고 별다른 범죄전력이 없으며 수사에 성실히 응해온 점 등을 봤을 때 현 단계에서 구속 필요성이 인정된다고 보기 어렵다"고 기각 사유를 밝혔다.

오 씨는 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술 공정도 700여개를 무단 유출해 중국 업체 '청두가오전'에 넘겨 제품 개발에 사용하게 한 혐의를 받는다. 오 씨는 청두가오전에서 반도체 공정 설계를 주도하는 임원으로 일하고 있는 것으로 알려졌다. 이에 서울경찰청 안보수사대는 지난 15일 오 씨에 대한 구속영장을 신청했다.

오 씨는 영장심사를 마친 후 '중국으로 기술을 유출한 혐의를 인정하느냐', '기술 유출 대가로 얼마를 받았느냐' 등 취재진의 질문에 답하지 않고 법원을 떠났다.

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