삼성전자는 세계 최초로 3차원 TSV(실리콘관통전극) 적층 기술을 적용해 최대 용량, 초절전 특성을 동시에 구현한 '128기가바이트 서버용 D램 모듈'을 본격 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. /삼성전자 제공 |
삼성전자, 세계 최초 '128기가바이트 D램 모듈' 내놔
[더팩트ㅣ이성락 기자] 삼성전자는 세계 최초로 3차원 TSV(실리콘관통전극) 적층 기술을 적용해 최대 용량, 초절전 특성을 동시에 구현한 '128기가바이트(GB) 서버용 D램 모듈'을 본격 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다.
삼성전자에 따르면 지난해 8월 TSV 기술로 '64GB DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈' 양산에 성공해 3차원 D램 시장을 창출한 데 이어 '128GB TSV D램 모듈' 양산으로 D램 용량 한계를 연이어 돌파했다.
이번 '128GB TSV D램 모듈'은 최고 용량뿐만 아니라 초고속, 초절전, 고신뢰성 등 그린 IT의 요구 사항을 모두 만족해 차세대 엔터프라이즈 서버와 데이터센터용 솔루션으로 제공한다.
삼성전자 최신 20나노 공정을 적용한 8GB DDR4 D램 칩 모두 144개로 이뤄져 있으며 외관상으로는 각 칩을 TSV 적층 기술로 4개씩 쌓은 패키지 36개가 탑재된 모습이다.
TSV 기술은 기존 와이어(금선)를 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수할 뿐만 아니라 최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있어 더욱 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있다.
특히 이번 '128GB TSV D램 모듈'은 기존 와이어를 이용한 '64GB D램 모듈'에 비해 용량뿐만 아니라 속도도 2배 정도 빠른 2400Mbps를 구현하면서도 소비전력량을 50% 줄일 수 있다.
또 삼성전자는 연내 TSV 기술을 적용해 '128GB DDR4 LRDIMM' 제품도 연이어 양산해 'TSV 풀라인업'을 제공하고, 초고량 D램 수요 증가세에 맞춰 20나노 8GB D램의 생산 비중을 빠르게 늘려 제조 경쟁력을 한 단계 높인다는 전략이다.
최주선 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 "'128GB D램 모듈' 양산으로 글로벌 IT 고객들이 투자 효율성을 더욱 높인 차세대 서버 시스템을 적기에 출시할 수 있게 됐다"며 "앞으로 다양한 분야의 시장 선도 고객들과 기술 협력을 확대하고 글로벌 IT 시장 변화를 가속화해 소비자의 사용편리성을 높이는데 기여해 나갈 것"이라고 말했다.
rocky@tf.co.kr