SK하이닉스는 양산용 'High NA EUV' 장비를 이천 M16팹에 반입해 첨단 제품을 신속하게 개발, 공급할 수 있는 기반을 마련했다고 3일 밝혔다. /더팩트 DB

[더팩트ㅣ이성락 기자] SK하이닉스는 메모리 업계 최초로 양산용 '하이(High) NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입했다고 3일 밝혔다.

'High NA EUV'는 기존 EUV보다 더 큰 NA를 적용해 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광 장비다. 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소·집적도 향상에 핵심 역할을 할 것으로 기대된다.

이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, 'High NA EUV' 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다.

SK하이닉스는 지난 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요했다.

SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다.

차선용 SK하이닉스 CTO는 "이번 장비 도입으로 회사가 추진 중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다"며 "급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다"고 말했다.

rocky@tf.co.kr

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