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메모리 반도체, 바닥찍었나…삼성·SK, DDR5로 하반기 수요 노린다
입력: 2023.05.25 00:00 / 수정: 2023.05.25 00:00

메모리 반도체 하반기 반등 예상
삼성전자·SK하이닉스, DDR5 양산 돌입…"주요 투자도 지속"


지난해부터 최악의 불황을 지나고 있는 글로벌 메모리 반도체 업계가 올해 2분기 저점을 찍고 고부가가치 상품인 DDR5 등을 중심으로 반등할 것이란 관측이 제시되고 있다. /더팩트DB
지난해부터 최악의 불황을 지나고 있는 글로벌 메모리 반도체 업계가 올해 2분기 저점을 찍고 고부가가치 상품인 DDR5 등을 중심으로 반등할 것이란 관측이 제시되고 있다. /더팩트DB

[더팩트|최문정 기자] 지난해부터 이어지고 있는 글로벌 반도체 시장의 불황이 올해 2분기 바닥을 찍고 반등할 것이란 전망이 나오고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 메모리 반도체 기업들은 차세대 D램 규격인 DDR5 등의 첨단 공정을 앞세워 시장 반등 효과를 극대화한다는 구상이다. 이를 위해 '역대급' 적자 상황에도 기술 경쟁력 확보를 위한 투자를 이어간다는 방침이다.

25일 전자업계와 증권업계 등에 따르면, 글로벌 메모리 반도체 시장은 2분기를 지나며 점차 안정세를 되찾을 것으로 전망된다. 지난해부터 업계 2위와 3위인 SK하이닉스와 미국의 마이크론이 인위적인 D램 감산에 나선 데 이어 삼성전자 역시 올해 일부 메모리 반도체 제품을 중심으로 생산량 조절에 들어가는 등 업계 차원의 수급 균형 노력이 효과를 봤기 때문이다.

김동원 KB증권 연구원은 24일 보고서를 통해 "글로벌 메모리 반도체 3사(삼성전자, SK하이닉스, 마이크론)의 2분기 D램 출하량이 예상을 웃돌며 재고가 줄어들고 있다"며 "3분기 아이폰 15 출시를 시작으로 반도체 수요가 개선될 것이라고 예상된다"고 분석했다.

김 연구원은 "만약 반도체 수요가 크게 늘지 않더라도 (업체들의) 감산 효과만으로도 D램과 낸드플래시 수급은 균형을 이룰 것"이라고 전망했다. 그는 2분기 이후 뚜렷한 재고감소 추세를 나타나며 4분기에 글로벌 메모리 반도체 3사의 평균 재고는 1분기 대비 23% 감소할 것으로 예상했다.

전자업계는 하반기 반도체 업황 개선 시점과 D램의 세대 교체 주기가 겹칠 것으로 예상되는 만큼, 반등 효과가 더욱 클 것으로 예상하고 있다.

현재 범용 D램으로는 DDR4가 주로 사용되고 있다.

그러나 지난해 글로벌 반도체 기업인 인텔과 AMD가 차세대 표준인 DDR5를 지원하는 신규 중앙처리장치(CPU)인 '13세대 코어 프로세서(랩터 레이크)'와 '라이젠7000' 시리즈를 각각 출시하며 세대 교체의 신호탄을 쐈다.

인텔과 AMD는 고부가가치 상품인 서버용 CPU에도 DDR5를 확대할 예정이다. 양사는 지난해 각각 서버용 CPU 신제품 '4세대 제온스케일러블 프로세서(사파이러 래피즈)'와 '4세대 에픽'을 출시했다.

시장조사업체 옴디아는 올해를 지나며 DDR5가 DDR4를 상당수 따라잡을 것으로 분석했다. 옴디아에 따르면, 내년 DDR5의 시장점유율은 51%를 기록해 처음으로 DDR4(49%)를 추월할 전망이다.

신한투자증권은 "DDR5는 DDR4 대비 평균판매가격 프리미엄이 존재해 수익성 측면에서 긍정적"이라고 분석했다.

삼성전자와 SK하이닉스는 DDR5의 양산을 위한 기술 개발과 준비를 마친 상황이다. 위 사진은 기사와 무관함. /삼성전자
삼성전자와 SK하이닉스는 DDR5의 양산을 위한 기술 개발과 준비를 마친 상황이다. 위 사진은 기사와 무관함. /삼성전자

DDR5 제품을 중심으로 업황 개선이 기대되는 와중에 삼성전자와 SK하이닉스는 제품 개발과 양산 준비를 마쳤다.

삼성전자는 지난 18일부터 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 제품 양산에 돌입했다. 이 제품은 이전 4세대(14나노급) 제품 대비 생산성이 20% 향상됐고, 전력 소비량은 23% 개선됐다.

삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.

SK하이닉스는 지난 1월 인텔의 사파이어래피즈 CPU에 자체 개발한 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램을 적용할 수 있는 인증을 받았다.

SK하이닉스에 따르면 이 제품은 DDR4 대비 전력 소모량이 20% 개선되면서 성능은 70% 이상 향상됐다. 또한 SK하이닉스는 인텔의 10나노급 2세대(1y) DDR5 제품에 대한 인증도 통과했다.

아울러 삼성전자와 SK하이닉스는 기술 경쟁력 유지를 위한 투자는 이어간다는 구상이다.

삼성전자는 올해 1분기 메모리 반도체의 중장기 공급성 확보를 위한 평택 3기 마감, 첨단공정 수요 대응을 위한 4기 인프라 투자 등의 비용을 포함해 총 9조8000억 원의 투자를 집행했다.

삼성전자 관계자는 "메모리 반도체에 전년과 유사한 수준으로 투자를 지속할 예정"이라며 "중장기 경쟁력 확보를 위한 인프라와 연구개발(R&D) 투자 비중은 지속 확대할 것"이라고 강조했다.

D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체를 양축으로 하는 SK하이닉스는 이번 반도체 불황을 지나며 설비 투자 등을 지난해(19조6500억 원) 대비 절반 수준인 약 10조 원 이상 축소할 예정이다. 그러나 기술 개발을 위한 투자는 적극 집행한다는 방침을 공유했다.

SK하이닉스는 지난 달 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "경쟁력 유지를 위한 필수 투자를 제외하고 전 영역의 투자를 최소화하고 운영할 것"이라며 "대신 올해 수요 성장을 주도할 DDR5, LPDDR5, HBM3 등의 제품 생산을 위한 투자는 집행해 하반기와 내년 성장에 대응할 계획이다"고 밝혔다.

munn09@tf.co.kr

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