SK하이닉스는 10나노급 5세대 서버용 DDR5가 인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램 검증 절차에 돌입했다고 30일 밝혔다. /SK하이닉스

[더팩트ㅣ이성락 기자] SK하이닉스는 현존하는 D램 중 가장 미세화된 10나노급 5세대(1b) 기술 개발을 완료하고, 이 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 '인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램' 검증 절차에 돌입했다고 30일 밝혔다.

이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼인 제온 스케일러블 플랫폼에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 성격을 갖고 있다.

이번에 인텔에 제공된 DDR5 제품은 동작 속도가 6.4Gbps(초당 6.4기가비트)로, 현재 시장에 나와 있는 DDR5 중 최고 속도라는 게 SK하이닉스의 설명이다. 이는 1초에 5GB의 FHD(풀HD) 영화 10편을 처리할 수 있는 속도다.

DDR5 초창기 시제품보다는 데이터 처리 속도가 33% 향상된 것이다. 기존 1a 제품과 비교하면 14%가량 처리 속도가 빨라졌다.

또 이번 1b DDR5에 'HKMG(High-K Metal Gate)' 공정을 적용해 1a DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다. HKMG는 유전율이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전 용량을 개선한 차세대 공정으로, 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다.

SK하이닉스는 1b 기술 개발을 통해 글로벌 고객들에게 높은 성능과 우수한 전성비를 두루 갖춘 D램 제품을 공급할 수 있게 될 것으로 기대했다.

김종환 SK하이닉스 부사장은 "이번 제품에 앞서 지난 1월 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서에 적용해 업계 최초로 인증받았다"며 "이번 1b DDR5 제품 검증도 성공적으로 마무리될 것으로 본다"고 말했다.

이어 "올해 하반기부터 메모리 시장 상황이 개선될 것이라는 전망이 나오는 가운데, SK하이닉스는 1b 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선을 가속화할 것"이라며 "내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 LPDDR5T, HBM3E로도 확대 적용할 것"이라고 덧붙였다.

rocky@tf.co.kr