이재용 삼성전자 부회장이 지난해 제시한 '반도체 비전 2020' 달성을 위한 세부 경영전략 수립에 속도를 내고 있다. 중국 산시성에 있는 삼성전자 시안반도체 사업장을 찾아 생산 라인을 살피는 이 부회장의 모습 /삼성전자 제공

'반도체 비전 2030' 가속도 "파운드리 사업 견고한 성장 이어갈 것"

[더팩트 | 서재근 기자] 이재용 삼성전자 부회장이 시스템반도체 분야 세계 1등이라는 목표와 더불어 제시한 '반도체 비전 2030' 달성 의지가 세부적 전략 실행으로 이어지고 있다.

21일 삼성전자는 극자외선(EUV) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 반도체 위탁생산(파운드리) 생산 시설을 구축한다고 밝혔다.

이번 투자는 삼성전자가 지난해 4월 발표한 '반도체 비전 2030' 관련 후속 조치의 일환으로 오는 2021년 하반기부터 평택 파운드리 라인 가동을 본격화한다는 계획이다.

삼성전자는 올해 2월 EUV 전용 화성 'V1 라인' 가동에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축하며 모바일, HPC(High Performance Computing), 인공지능(AI) 등 다양한 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 확대해 나가고 있다.

삼성전자는 EUV 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축, 오는 2021년 하반기부터 본격적으로 가동에 나설 계획이라고 21일 밝혔다. /삼성전자 제공

이 같은 경영 전략은 AI와 5G, 자동차 전자 장비를 비롯해 4차 산업혁명 시대를 주도할 첨단 극자외선(EUV) 공정 기술 경쟁력 확보를 최우선 실천 과제로 제시한 이 부회장의 주문과 맥을 같이한다.

실제로 이 부회장은 지난 2월 본격적으로 가동을 시작한 경기도 화성사업장 내 EUV 반도체 생산라인을 찾아 "시스템반도체 세계 1등의 비전을 향한 긴 여정의 첫 단추를 끼웠다"라며 '반도체 비전 2030' 달성 의지를 강조한 바 있다.

지난 3월 열린 삼성전자 정기 주주총회에서도 이 부회장이 제시한 로드맵의 연장선상에서 미래 경영전략이 구체화됐다. 당시 김기남 삼성전자 DS부문장 부회장은 "4세대 10나노급 D램과 7세대 V낸드 등 차별화된 제품 개발과 5나노 양산, 4·3나노 적기 개발 등에 집중해 신성장 시장 분야에서 주도권을 확보하고 초격차 기술을 확대해 진정한 글로벌 1위를 확고히 하겠다"고 밝혔다.

이재용 부회장은 앞서 지난 2월 본격적으로 가동을 시작한 경기도 화성사업장 내 EUV 반도체 생산라인을 찾아 "도전을 멈춰서는 안 된다"라며 '반도체 비전 2030' 달성 의지를 강조한 바 있다. /삼성전자 제공

삼성전자는 지난 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후 올해 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대한 데 이어 내년 평택 라인 가동까지 이어질 경우 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모가 더욱 가파르게 증가할 것으로 내다보고 있다. 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 이후 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 계획이다.

아울러 글로벌 파운드리 시장은 5G, HPC, AI, 네트워크 등 신규 응용처 확산에 따라 초미세 공정 중심의 성장이 예상되는 만큼 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략이다.

정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극적으로 대응해 나갈 것"이라며 "전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 말했다.

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